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晶振匹配電容的問題！

首先要分清楚晶振還是晶體，晶振的話好像不用電容吧，晶體的話0.1u和0.01u的電容有些大了，一般應(yīng)該100p到20p之間。

晶振的標(biāo)稱值在測試時(shí)有一個(gè)“負(fù)載電容”的條件，在工作時(shí)滿足這個(gè)條件，振蕩頻率才與標(biāo)稱值一致。一般來講，有低負(fù)載電容（串聯(lián)諧振晶體）高負(fù)載電容（并聯(lián)諧振晶體）之分。在電路上的特征為：晶振串一只電容跨接在IC兩只腳上的，則為串聯(lián)諧振型；一只腳接IC,一只腳接地的，則為并聯(lián)型。如確實(shí)沒有原型號(hào)，需要代用的可采取串聯(lián)諧振型電路上的電容再并一個(gè)電容，并聯(lián)諧振電路上串一只電容的措施。例如：4.433MHz晶振，并一只3300PF電容或串一只70P的微調(diào)電容。另一種說法是“損耗值”與“激勵(lì)電平”之說：

其實(shí)，上述原因都可以作為選擇晶振的條件作為考慮。

常見的晶振大多是二只腳，3腳的晶振是一種集晶振和電容為一體的復(fù)合元件。由于在集成電路振蕩端子外圍電路中總是以一個(gè)晶振（或其它諧振元件）和兩個(gè)電容組成回路，為便于簡化電路及工藝，人們便研制生產(chǎn)了這種復(fù)合件。其3個(gè)引腳中，中間的1個(gè)腳通常是2 個(gè)電容連接一起的公共端，另外2個(gè)引腳即為晶振兩端，也是兩個(gè)電容各自與晶振連接的兩端。由此可見，這種復(fù)合件可用一個(gè)同頻率晶振和兩個(gè)100~200pF的瓷片電容按常規(guī)連接后直接予以代換。